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基于硅基环氧树脂封装的氧化物宽禁带半导体紫外探测器件技术
  • 项目概况

  • 氧化物宽禁带半导体材料(氧化锌、氧化镓等)具有有以独 特的材料特性,并且原料相对丰富廉价,被认为是制备紫外探测器 的理想材料之一,在火灾监测、导弹预警、医疗卫生、环境监测等 领域都有非常重要的应用。对于实际应用来说,低功耗和便携是对 探测器件的两个非常重要的需求,在低电压下获得高的光响应度不 仅可降低器件的能耗,更可摆脱对放大电路的依赖,实现无放大电 路应用。 为了在低电压下获得高的光响应度,我们在制备 高性能氧化物紫外探测器方面取得了一系列成果,如利用界面缺陷 实现了首个高性能混相 ZnMgO 日盲紫外探测器,器件性能优于同类 单相器件;设计并实现了平面非对称叉指电极,实现了新型自供能 ZnO 紫外探测器;率先实现了基于高阶等离子体共振的 Ag 等离子 体增强型紫外探测器,器件具有高度的波长选择性;通过表面改性 大幅提高了氧化物半导体紫外探测器的响应速度等。在上述研究工 作的基础上,我们用硅基环氧树脂封装了一系列氧化物宽禁带半导 体紫外探测器件,典型的日盲紫外探测器的峰值响应度在 10V 偏压 下可达 50A/W 以上,漏电流在 pA 量级,在国防和民用领域都具有 广阔的应用前景!
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